100-Nanometer-Ziel verzögert sich

Wie POET Technologies am Dienstag in einer Medienmitteilung bekanntgab, wird sich das Erreichen des 100-Nanometer-Ziels um einige Wochen verzögern.

Bei diesem Ziel geht es darum, die Strukturgröße der POET-Chips von aktuell 200 nm (Nanometer) auf 100 nm oder kleiner zu verringern. Eigentlich sollte das bis Ende März geschafft sein, wie der untenstehende Meilensteinplan ausweist. Nun strebt das Technikteam das Erreichen des Meilensteins 8 bis Ende Juni an.

Meilensteinplan (Quelle: POET Technologies, Corporate Overview April 2014)

Als Gründe für die Verzögerung nennt POET Technologies unter anderem die Entwicklung neuartiger Fertigungsschritte. Die Mitteilung geht nicht wirklich ins Detail, sondern bleibt für alle kryptisch und unverständlich, die sich mit Halbleiterherstellung nicht auskennen – also für fast jedermann. Ich gebe den entsprechenden Passung hier im Original wieder, damit sich der Leser selbst ein Bild machen kann:

Among the technical challenges addressed by the team are short-channel effects and the development and implementation of a novel technique based on using a non-gold based contact, without liftoff, to achieve self-alignment. This results in a general digital device format for III-V technologies. Many of these processes have been captured as new intellectual property for the Company by submission of patent applications.

Aktualisierung des zuvor hier stehenden Absatzes: Hinweise des Kommentators »Airtower« (siehe unten) sowie Recherchen des Benutzers »oogee« im Agoracom-Forum bringen etwas Licht ins Dunkel. Ich zitiere: Kurzkanaleffekte ergeben sich, wenn bei einem Feldeffekttransistor der Kanal – also der gegebenenfalls leitende Bereich unter dem Gate – sehr schmal ist. Das sind zum Beispiel Störungen der Kanalform dadurch, daß eine relativ hohe Spannung über die kurze Strecke abfällt, oder auch Quanteneffekte. Je kleiner die Strukturen sind, desto größer ist der Einfluß solcher Faktoren.

Gold ist für den POET-Prozeß wohl nicht das optimale Material für Kontakte, weil das Herstellungsverfahren eine Temperung (Wärmebehandlung) mit recht hohen Temperaturen vorsieht und Gold zusammen mit Galliumarsenid schon bei der relativ niedrigen Temperatur von 350 ℃ in eine flüssige Phase übergeht. Plausibel, daß dies bei kleineren Strukturen eher ein Problem ist als bei größeren! Aber immerhin hat POET hier ja wohl eine Lösung gefunden.

Das Ergebnis sei ein »allgemeines digitales Komponentenformat für III-V-Technologien«, schreibt das Unternehmen. Was genau darunter zu verstehen ist, bleibt unklar, aber es klingt gut. POET jedenfalls findet vieles davon spannend genug, um es zum Patent anzumelden. Daher hoffe ich, daß der Nutzen der neu entwickelten Verfahren den Verzug letztlich überkompensieren wird.

Im Entwickeln neuartiger Verfahrensschritte mag POET Technologies gut sein, im Schätzen der Entwicklungsdauer hat sich das Unternehmen bislang nicht mit Ruhm bekleckert. Mir fällt spontag kein einziger Meilenstein ein, den POET Technologies pünktlich erreicht hätte. Einen Vorwurf will ich dem Team daraus trotzdem nicht machen, denn Forschung und Entwicklung kriegt man in der Regel nicht mit straffen Zeitplänen zusammen. Zu groß sind die Unwägbarkeiten. Allerdings hätte man genau deswegen deutlich großzügiger schätzen müssen.

Eines möchte ich aber betonen: Bis jetzt hat POET Technologies noch jeden einzelnen Meilenstein erreicht – nicht unbedingt pünktlich erreicht, aber erreicht. Ich bin zuversichtlich, daß Meilenstein 8 keine Ausnahme darstellen wird. Und wenn es nicht bis Ende Juni klappt, weil wieder zu optimistisch geschätzt wurde, dann halt bis Ende Juli – oder so.

Das 100-nm-Ziel hat eine hohe Priorität, weil die Strukturverkleinerung von einem potentiellen Partner gewünscht wurde und wohl Voraussetzung für den produktiven Einsatz ist. Wie aus anderer Quelle zu erfahren war, soll es sich dabei angeblich um eines der größten Unternehmen der Welt handeln, nicht jedoch um Intel, Apple oder Samsung.

Lange Wellen für Netzwerktechnik

Ein weiterer Punkt der POET-Mitteilung ist die Wiederinbetriebnahme des MBE-Systems (Molecular Beam Epitaxy), das zwecks Wartung und Aufrüstung zwei Monate lang außer Betrieb war und nun wieder Wafer für den POET-Prozeß herstellen könne. Wie Cheftechniker Dr. Geoff Taylor erläutert, lassen sich mit dem aufgerüsteten MBE optische Chip-Bausteine nun auch für große Wellenlängen produzieren. Mit dem alten MBE habe man nur Optikelemente für kurze Wellen herstellen können, etwa für den Einsatz in Rechenzentrumsanwendungen. Mit Bausteien für lange Wellen erreiche POET auch den Netzwerkmarkt.

PET-Komponenten in Software gegossen

Die Umsetzung der PET-Komponenten in Software gehe planmäßig voran, teilt POET Technologies mit. Ende des dritten Quartals sollen die Softwaremodelle Partnern und Kunden zur Verfügung stehen und Design und Fertigung sehr vereinfachen.

PET ist POET ohne optische Komponenten. Auch die rein elektronische Lösung verspricht bereits erhebliche Leistungssteigerungen und soll den Stromverbrauch deutlich verringern.

Verhandlungen gehen voran

Die Gespräche mit potentiellen Partner und Kunden gehen weiter, gibt POET-Chef Peter Copetti bekannt. Wie er an anderer Stelle mitteilte, erwartet er erste Abschlüsse Ende dieses Jahres und dann erheblich mehr in 2015.

Die Aktie

Der Aktienkurs reagierte auf die Verzögerung des 100-nm-Ziels zunächst verschnupft. Der Kurs gab von 1,79 CAD (Schlußkurs 2014-05-26) auf bis zu 1,55 CAD nach. Im späten Handel („Power Hour“) erholte sich die Aktie deutlich und schloß bei 1,75 CAD. Es blieb ein moderater Verlust von 0,04 CAD.


Bitte beachten Sie die Hinweise zu Risiken und zum Haftungsausschluß!

12 thoughts on “100-Nanometer-Ziel verzögert sich”

  1. „Short-channel effects“ heißen auf deutsch schlicht „Kurzkanaleffekte“ und ergeben sich, wenn bei einem Feldeffekttransistor der Kanal – also der ggf. leitende Bereich unter dem Gate – sehr schmal ist. Das sind z.B. Störungen der Kanalform dadurch, daß eine (relativ) hohe Spannung über die kurze Strecke abfällt, oder auch Quanteneffekte.

    „Digital device format for III-V technologies“ ist einfach etwas abstrakter als Gallium-Arsenid-Technik. III und V beschreibt die Anzahl der Elektronen in der äußeren Schale (um den einfachen Begriff aus dem Borschen Atommodell zu verwenden). Das könnte implizieren, daß sich mit den neuen Erkenntnissen auch andere III-V-Halbleiterkombinationen verwenden lassen, aber das ist jetzt Spekulation.😉

    1. Danke für die Erläuterungen zu den Kurzkanaleffekten!

      Die Verallgemeinerung zu III-V-Materialien ist gar nicht so weit hergeholt. Immerhin enthält die letzte Management Discussion & Analysis den folgenden Satz: „The use of III-V materials such as gallium arsenide and gallium nitride are key factors in ODIS’ POET process development for these products“ (Hervorhebung durch mich). Während mir der Begriff III-V-Stoffe klar ist, weiß ich nicht, was mit „general digital device format“ konkret gemeint sein könnte. Hast du dazu eine Idee?

      Zu der Sache mit dem Gold bzw. den Nichtgolkdkontakten habe ich inzwischen weitere Informationen gefunden.

      Es steht also noch eine Aktualisierung des Artikels an.

  2. Aus dem Kontext vermute ich, daß „general digital device format for III-V technologies“ bedeutet, daß man mit den neuartigen Kontakten Digitalschaltungen aus beliebigen III-V-Halbleitern bauen kann. Sicher bin ich da aber nicht.

  3. Ja, das Wort „general“ legt nahe, daß es sich um eine irgendeine allgemeine Lösung handelt.😉

    Was auch immer es genau ist, POET Technologies findet es patentverdächtig. Und das ist eine gute Nachricht.

  4. Guter Artikel, danke dafür!

    Sie schreiben
    „Wie aus anderer Quelle zu erfahren war, soll es sich dabei angeblich um eines der größten Unternehmen der Welt handeln..“

    Das war mir bis dato nicht bekannt!? Können Sie dazu mehr sagen?

    Beste Grüße

    1. Zu der Quelle kann ich leider nichts sagen. Ich halte sie für recht glaubwürdig, kann meine Hand dafür aber nicht ins Feuer legen. Begegnen Sie der Aussage also mit der gebotenen Vorsicht und ignorieren Sie sie im Zweifelsfall einfach.

    2. Eine Quelle kann ich dir auch nicht nennen, doch vor Wochen ging die Mär, es soll ein großes Unternehmen mit einem kurzen Namen sein. Mir würde da IBM, HP oder ARM einfallen, auch Apple ist ja nicht gerade lang. Intel auch nicht. Also Microsoft dürfen wir ausschließen.😉

  5. Ich möchte an dieser Stelle einmal ein grosses „Danke“ loswerden. Sie finden immer die Balance zwischen „überzeugtem Investor“ und kritischem Begleiter“. Und stellen Ihr Wissen philantroph zur Verfügung. Also Danke nochmals.

  6. Guten Morgen!
    Eine Frage zum gestrigen Taylor Artikel, aus welchem ich auch nach 3facher Lektüre nicht herauslesen konnte , dass M8 erreicht worden ist. Habe ich etwas überlesen? Und wäre es nicht ein sehr ungewöhnlicher (material info….) Kommunikationsweg, um die Realisierung eines wichtigen Milestones öffentlich zu machen ?

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